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纳米器件阈值电压提取方法

杨慧 , 郭宇锋 , 洪洋

功能材料与器件学报

阈值电压是MOSFET最重要的电学参数,它在器件模拟和电路设计方面起着举足轻重的作用.本文分析总结了目前比较常用的阈值电压的提取方法,分别利用它们提取了FinFET和JLT不同沟道长度的阈值电压,讨论了这些方法在提取两种现代MOS器件阈值电压时的有效性和局限性.

关键词: 阈值电压提取 , FinFET , Junctionless Transistor